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    0755-8322300313826514222余先生,張先生0755-83249919深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟31611011818

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IPA70R360P7SXKSA1 PDF資料
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  • 制造商:Infineon Technologies
  • PDF文件大?。?.91 Mbytes
  • PDF文件頁數(shù):共13頁
  • 描述:MOSFET
IPA70R360P7SXKSA1技術規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術:Si
  • 安裝風格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-220FP-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:700 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:12.5 A
  • Rds On-漏源導通電阻:300 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:16 V
  • Qg-柵極電荷:16.4 nC
  • 最小工作溫度:- 40 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:26.5 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標名:CoolMOS
  • 封裝:Tube
  • 高度:16.15 mm
  • 長度:10.65 mm
  • 系列:CoolMOS P7
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:4.85 mm
  • 商標:Infineon Technologies
  • 下降時間:18 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:8 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:500
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關閉延遲時間:100 ns
  • 典型接通延遲時間:19 ns
  • 零件號別名:IPA70R360P7S SP001499698
  • 單位重量:1 g
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