篩選結(jié)果：供應(yīng)商共有家隨時(shí)為您服務(wù)
- 供應(yīng)商
- 型號(hào)
- 品牌
- 封裝
- 批號(hào)
- 庫(kù)存數(shù)量
- 備注
- 詢價(jià)
-
柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
-
-
-
-
更多收回
IPB009N03L G PDF資料
- 資料下載
- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大?。?.12 Mbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共11頁(yè)
- 描述：MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB009N03L G技術(shù)規(guī)格
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：25000pF @ 15V
- Vgs（最大值）：±20V
- 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：0.95 毫歐 @ 100A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PG-TO263-7
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源極電壓（Vdss）：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：180A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：227nC @ 10V
- 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
- 通道數(shù)量：1Channel
- 晶體管極性：N-Channel
- Id-連續(xù)漏極電流：180A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：700mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓：1V
- Vgs - 柵極-源極電壓：20V
- Qg-柵極電荷：227nC
- 最小工作溫度：-55C
- 最大工作溫度：+175C
- 配置：Single
- Pd-功率耗散：250W
- 通道模式：Enhancement
- 商標(biāo)名：OptiMOS
- 封裝：CutTape
- 高度：4.4mm
- 長(zhǎng)度：10mm
- 系列：OptiMOS3
- 晶體管類型：1N-Channel
- 寬度：9.25mm
- 正向跨導(dǎo) - 最小值：180S
- 下降時(shí)間：22ns
- 上升時(shí)間：14ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：103ns
- 典型接通延遲時(shí)間：26ns
- 無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
IPAWT00B30相關(guān)型號(hào)
