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  • 柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

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  • 深圳市坤融電子有限公司

    17年

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  • VBSEMI/微碧半導(dǎo)體　
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  • 深圳市春東電子有限公司

    8年

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IPB015N04N PDF資料
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  • 制造商：ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]
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  • PDF文件頁數(shù)：共2頁
  • 描述：Isc N-Channel MOSFET Transistor
IPB015N04N G技術(shù)規(guī)格
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：20000pF @ 20V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.5 毫歐 @ 100A，10V
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：PG-TO263-3
  • FET 類型：N 溝道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源極電壓（Vdss）：40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：120A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 200μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：250nC @ 10V
  • 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
  • 通道數(shù)量：1Channel
  • 晶體管極性：N-Channel
  • Id-連續(xù)漏極電流：120A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：1.2mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓：2V
  • Vgs - 柵極-源極電壓：20V
  • Qg-柵極電荷：250nC
  • 最小工作溫度：-55C
  • 最大工作溫度：+175C
  • 配置：Single
  • Pd-功率耗散：250W
  • 通道模式：Enhancement
  • 商標(biāo)名：OptiMOS
  • 封裝：CutTape
  • 高度：4.4mm
  • 長度：10mm
  • 系列：OptiMOS3
  • 晶體管類型：1N-Channel
  • 寬度：9.25mm
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值：120S
  • 下降時間：13ns
  • 上升時間：10ns
  • 典型關(guān)閉延遲時間：64ns
  • 典型接通延遲時間：40ns
  • 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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