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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IPB024N10N5 PDF資料
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- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
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- PDF文件頁數(shù):共11頁
- 描述:OptiMOS?a 5 Power-Transistor, 100 V
IPB024N08NF2SATMA1技術(shù)規(guī)格
- 商品目錄場效應(yīng)管(MOSFET)
- 類型1個N溝道
- 漏源電壓(Vdss)80V
- 連續(xù)漏極電流(Id)107A
- 功率(Pd)150W
- 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.4mΩ@100A,10V
- 閾值電壓(Vgs(th)@Id)3.8V@85uA
- 柵極電荷(Qg@Vgs)133nC@10V
- 輸入電容(Ciss@Vds)6.2nF@40V
- 工作溫度-55℃~+175℃@(Tj)
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