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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
IPB072N15N3GE8187ATMA1
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- 制造商:Infineon Technologies
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- 描述:MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
IPB072N15N3GE8187ATMA1技術(shù)規(guī)格
- 包裝Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 系列OptiMOS?
- 零件狀態(tài)停產(chǎn)
- FET 類型N 通道
- 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss)150V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)100A(Tc)
- 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)8V,10V
- 不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)7.2 毫歐 @ 100A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)4V @ 270μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)93nC @ 10V
- Vgs(最大值)±20V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)5470pF @ 75V
- FET 功能-
- 功率耗散(最大值)300W(Tc)
- 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型表面貼裝型
- 供應商器件封裝PG-TO263-3-2
- 封裝/外殼TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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