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  • 描述:OptiMOS??-T Power-Transistor
IPB100N12S3-05技術規(guī)格
  • 封裝/外殼:PG-TO263-3
  • Packing Type:TAPE & REEL
  • Moisture Level:1
  • RDS (on) max:4.8m?
  • IDpuls max:400.0A
  • VDS max:120.0V
  • ID max:100.0A
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  • Ptot max:300.0W
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