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IPB108N15N3GATMA1 PDF資料
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  • 制造商:Infineon Technologies
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  • PDF文件頁數(shù):共11頁
  • 描述:MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
IPB108N15N3GATMA1技術(shù)規(guī)格
  • 系列:OptiMOS??
  • FET類型:N 溝道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):83A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):8V,10V
  • 不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V @ 160μA
  • 不同Vgs時的柵極電荷?(Qg)(最大值):55nC @ 10V
  • 不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):3230pF @ 75V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 功率耗散(最大值):214W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs時的?RdsOn(最大值):10.8 毫歐 @ 83A,10V
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:PG-TO263-3
  • 封裝形式Package:D2PAK
  • 極性Polarity:N-CH
  • 漏源極擊穿電壓VDSS:150V
  • 連續(xù)漏極電流ID:83A
  • 漏源電壓(Vdss):150V
  • 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK(TO-263AB)
  • 電壓,耦合至柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V
  • 電壓,耦合至輸入電容(Ciss)(最大) @ Vds:75V
  • 無鉛情況/RoHs:
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