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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IPB160N04S2L03ATMA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?52.22 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共8頁
- 描述:MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPB160N04S2L03技術規(guī)格
- 包裝:7TO-263
- 通道模式:Enhancement
- 最大漏源電壓:40 V
- 最大連續(xù)漏極電流:160 A
- RDS -于:2.7@10V mOhm
- 最大門源電壓:±20 V
- 典型導通延遲時間:20 ns
- 典型上升時間:51 ns
- 典型關閉延遲時間:75 ns
- 典型下降時間:30 ns
- 工作溫度:-55 to 175 °C
- 安裝:Surface Mount
- 標準包裝:Rail / Tube
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