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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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IPB180P04P4L02ATMA2 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?59.53 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共9頁
- 描述:表面貼裝型 P 通道 40 V 180A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-7-3
IPB180P04P4L02ATMA2技術(shù)規(guī)格
- 包裝Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 系列OptiMOS?-P2
- 零件狀態(tài)有源
- FET 類型P 通道
- 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss)40V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)180A(Tc)
- 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
- 不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)2.4 毫歐 @ 100A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 410μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)286nC @ 10V
- Vgs(最大值)+5V,-16V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)18700pF @ 25V
- FET 功能-
- 功率耗散(最大值)150W(Tc)
- 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝PG-TO263-7-3
- 封裝/外殼TO-263-7,D2Pak(6 引線 + 接片)
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