篩選結果:供應商共有家隨時為您服務
- 供應商
- 型號
- 品牌
- 封裝
- 批號
- 庫存數(shù)量
- 備注
- 詢價
-
柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
-
-
-
-
更多收回
IPB60R299CP PDF資料
- 資料下載
- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大小:295.08 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共10頁
- 描述:CoolMOSTM Power Transistor
IPB60R299CP技術規(guī)格
- 數(shù)據(jù)列表:IPB60R299CP
- 產品培訓模塊:CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
- 標準包裝:1,000
- 類別:分立半導體產品
- 家庭:FET - 單
- 系列:CoolMOS??
- 包裝:帶卷(TR)
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標準
- 漏源極電壓(Vdss):600V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):299 毫歐 @ 6.6A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 440µA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1100pF @ 100V
- 功率 - 最大值:96W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商器件封裝:PG-TO263-3
- 其它名稱:IPB60R299CP-NDIPB60R299CPATMA1SP000301161
購買、咨詢產品請?zhí)顚懺儍r信息:(3分鐘左右您將得到回復)