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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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IPB65R125C7ATMA2 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?.77 Mbytes
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- 描述:MOSFET N-CH TO263-3
IPB65R125C7ATMA2技術(shù)規(guī)格
- 包裝Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 系列CoolMOS? C7
- 零件狀態(tài)Digi-Key 停產(chǎn)
- FET 類型N 通道
- 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss)650V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))18A(Tc)
- 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
- 不同Id,Vgs 時(shí)的Rds On(最大值)125 毫歐 @ 8.9A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)4V @ 440μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值)35nC @ 10V
- Vgs(最大值)±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)1670pF @ 400V
- FET 功能-
- 功率耗散(最大值)101W(Tc)
- 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝PG-TO263-3
- 封裝/外殼TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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IPB65R125C7ATMA2相關(guān)型號