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  • 柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

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    IPD30N06S3L-20

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  • 現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司

    6年

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  • 現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司

    10年

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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    13年

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  • 深圳市輝華拓展電子有限公司

    17年

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  • 深圳市芯澤盛世科技有限公司

    10年

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  • 深圳市百域芯科技有限公司

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  • 芯萊德電子（香港）有限公司

    11年

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  • 深圳市宇浩揚(yáng)科技有限公司

    10年

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  • Infineon(英飛凌)　
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  • 上海三崧電子有限公司

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  • 深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司

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  • 深圳市春東電子有限公司

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營(yíng)品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

  • IPD30N06S3L-20
  • INFINEON　
  • TO-252　
  • 18+　
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  • 原裝正品　

IPD30N06S3L-20 PDF資料
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  • 制造商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
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  • PDF文件頁(yè)數(shù)：共9頁(yè)
  • 描述：OptiMOS-T Power-Transistor
IPD30N06S3L-20技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
  • Id-連續(xù)漏極電流:30 A
  • Vds-漏源極擊穿電壓:55 V
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:20 mOhms
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vgs-柵源極擊穿電壓 :16 V
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:45 W
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:DPAK-3
  • 封裝:Reel
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • 通道模式:Enhancement
  • 配置:Single
  • 下降時(shí)間:74 ns
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 上升時(shí)間:34 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:2500
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:43 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間:9 ns
購(gòu)買(mǎi)、咨詢(xún)產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢(xún)價(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢(xún)價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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