篩選結(jié)果：供應(yīng)商共有家隨時(shí)為您服務(wù)
- 供應(yīng)商
- 型號(hào)
- 品牌
- 封裝
- 批號(hào)
- 庫(kù)存數(shù)量
- 備注
- 詢價(jià)
-
柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
-
-
-
-
更多收回
IPD50N04S4L08ATMA1 PDF資料
- 資料下載
- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大?。?52.64 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共9頁
- 描述：MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD50N04S4L08ATMA1技術(shù)規(guī)格
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：40V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：50A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 17μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：30nC @ 10V
- Vgs（最大值）：+20V，-16V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2340pF @ 25V
- 功率耗散（最大值）：46W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：7.3 毫歐 @ 50A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3-313
- 封裝/外殼：PG-TO252-3
- 通道類型：N
- 最大連續(xù)漏極電流：50 A
- 最大漏源電壓：40 V
- 最大漏源電阻值：7.3 m0hms
- 最大柵閾值電壓：2V
- 最小柵閾值電壓：1.2V
- 最大柵源電壓：-16 V，+20 V
- 封裝類型：DPAK (TO-252)
- 晶體管配置：單
- 引腳數(shù)目：3
- 通道模式：增強(qiáng)
- 類別：功率 MOSFET
- 最大功率耗散：46 W
- 典型接通延遲時(shí)間：40 ns
- 典型關(guān)斷延遲時(shí)間：11 ns
- 典型輸入電容值@Vds：1800 pF @ 25 V
- 典型柵極電荷@Vgs：23 nC @ 10 V
- 晶體管材料：Si
- 系列：OptiMOS T2
- 寬度：6.22mm
- 最低工作溫度：-55 °C
- 最高工作溫度：+175 °C
- 長(zhǎng)度：6.73mm
- 高度：2.41mm
- 尺寸：6.73 x 6.22 x 2.41mm
- 每片芯片元件數(shù)目：1
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
IPD50N04S4L-08(1)相關(guān)型號(hào)
