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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IPD50R399CP PDF資料
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- 制造商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大?。?11.49 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共10頁(yè)
- 描述：CoolMOSTM Power Transistor
IPD50R399CP技術(shù)規(guī)格
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：550V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：9A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 330μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：23nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：890pF @ 100V
- 功率耗散（最大值）：83W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：399 毫歐 @ 4.9A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
- 封裝/外殼：PG-TO252-3
- 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
- 通道數(shù)量：1Channel
- 晶體管極性：N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓：500V
- Id-連續(xù)漏極電流：9A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：360mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5V
- Vgs - 柵極-源極電壓：20V
- Qg-柵極電荷：23nC
- 最小工作溫度：-55C
- 最大工作溫度：+150C
- 配置：Single
- Pd-功率耗散：83W
- 通道模式：Enhancement
- 高度：2.3mm
- 長(zhǎng)度：6.5mm
- 系列：CoolMOSCE
- 晶體管類型：1N-Channel
- 寬度：6.22mm
- 下降時(shí)間：14ns
- 上升時(shí)間：14ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：80ns
- 典型接通延遲時(shí)間：35ns
- 無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs
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