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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
IPD80R2K8CEBTMA1
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IPD80R2K8CEBTMA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?.15 Mbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共15頁(yè)
- 描述:MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
IPD80R2K8CEBTMA1技術(shù)規(guī)格
- 數(shù)據(jù)列表:IPx80R2K8CE
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
- 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭:FET - 單
- 系列:CoolMOS??
- 包裝:帶卷(TR)
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓(Vdss):800V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.9A(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 1.1A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 120µA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):290pF @ 100V
- 功率 - 最大值:42W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-4,DPak(3 引線 + 接片)
- 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3
- 其它名稱:IPD80R2K8CEBTMA1TRSP001100602
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