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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IPD90N04S304ATMA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?84.42 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共9頁
- 描述:MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPD90N04S304ATMA1技術(shù)規(guī)格
- 系列:OptiMOS??
- FET類型:N 溝道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):90A(Tc)
- 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):4V @ 90μA
- 不同Vgs時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):80nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):5200pF @ 25V
- Vgs(最大值):±20V
- 功率耗散(最大值):136W(Tc)
- 不同?Id,Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):3.6 毫歐 @ 80A,10V
- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PG-TO252-3
- 封裝形式Package:DPAK
- 極性Polarity:N-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS:40V
- 連續(xù)漏極電流ID:90A
- 漏源電壓(Vdss):40V
- 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3
- 無鉛情況/RoHs:否
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