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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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IPDD60R050G7XTMA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?.96 Mbytes
- PDF文件頁數(shù):共14頁
- 描述:MOSFET HIGH POWER_NEW
IPDD60R050G7XTMA1技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:PG-HDSOP-10
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
- Id-連續(xù)漏極電流:47 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:50 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:68 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:278 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:Reel
- 商標(biāo):Infineon Technologies
- 下降時(shí)間:3 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:6 ns
- 工廠包裝數(shù)量:1700
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:72 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:22 ns
- 零件號(hào)別名:IPDD60R050G7 SP001632818
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