�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r
IPDD60R125G7XTMA1 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Infineon Technologies
- PDF�ļ���С��1.67 Mbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����14�
- ������MOSFET HIGH POWER_NEW
IPDD60R125G7XTMA1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Infineon
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:PG-HDSOP-10
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:600 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:20 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:125 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:3 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
- Qg-�ŘO늺�:27 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:120 W
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- ���b:Cut Tape
- ���b:Reel
- �̘�(bi��o):Infineon Technologies
- �½��r�g:5 ns
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- �����r�g:5 ns
- ���S���b��(sh��)��:1700
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r�g:60 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r�g:18 ns
- ���̖�e��:IPDD60R125G7 SP001632876
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IPDD60R125G7XTMA1���P(gu��n)��̖