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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IPF050N10NF2SATMA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?.13 Mbytes
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- 描述:表面貼裝型 N 通道 100 V 3.8W(Ta),150W(Tc) PG-TO263-7
IPF050N10NF2SATMA1技術(shù)規(guī)格
- 制造商Infineon Technologies
- 系列StrongIRFET? 2
- 包裝管件
- FET 類型N 通道
- 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss)100 V
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)19A (Ta), 117A (Tc)
- 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
- 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)5.05mOhm @ 60A, 10V
- 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)3.8V @ 84μA
- 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)76 nC @ 10 V
- Vgs(最大值)±20V
- 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)3600 pF @ 50 V
- FET 功能-
- 功率耗散(最大值)3.8W(Ta),150W(Tc)
- 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝PG-TO263-7
- 封裝/外殼TO-263-7,D2Pak(6 引線 + 接片)
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IPF050N10NF2SATMA1相關(guān)型號