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  • 制造商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
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  • 描述：OptiMOS??3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPI028N08N3 G技術(shù)規(guī)格
  • 數(shù)據(jù)列表：IPP,IPI028N08N3 G
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
  • 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 單
  • 系列：OptiMOS??
  • 包裝：管件
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓（Vdss）：80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：100A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：2.8 毫歐 @ 100A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 270µA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：206nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：14200pF @ 40V
  • 功率 - 最大值：300W
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA
  • 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3
  • 其它名稱：IPI028N08N3GHKSA1SP000395160
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