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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IPI075N15N3GHKSA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?39.25 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共11頁(yè)
- 描述:MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
IPI075N15N3GHKSA1技術(shù)規(guī)格
- 最大門源電壓:±20
- 安裝:Through Hole
- 包裝寬度:4.4
- PCB:3
- 最大功率耗散:300000
- 最大漏源電壓:150
- 歐盟RoHS指令:Compliant
- 最大漏源電阻:7.5@10V
- 每個(gè)芯片的元件數(shù):1
- 最低工作溫度:-55
- 供應(yīng)商封裝形式:TO-262
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱:I2PAK
- 最高工作溫度:175
- 渠道類型:N
- 包裝長(zhǎng)度:10
- 引腳數(shù):3
- 通道模式:Enhancement
- 包裝高度:9.25
- 最大連續(xù)漏極電流:100
- 標(biāo)簽:Tab
- 鉛形狀:Through Hole
- 連續(xù)漏極電流:100 A
- 柵源電壓(最大值):?20 V
- 功率耗散:300 W
- 漏源導(dǎo)通電阻:0.0075 ohm
- 工作溫度范圍:-55C to 175C
- 包裝類型:TO-262
- 封裝:Tube
- 極性:N
- 類型:Power MOSFET
- 元件數(shù):1
- 工作溫度分類:Military
- 漏源導(dǎo)通電壓:150 V
- 弧度硬化:No
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