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  • 柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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  • 深圳市坤融電子有限公司

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  • 深圳和潤天下電子科技有限公司

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  • 深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

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  • 深圳市斌騰達(dá)科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市輝華拓展電子有限公司

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  • 深圳市拓億芯電子有限公司

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  • 深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司

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  • 深圳市宸遠(yuǎn)科技有限公司

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  • 深圳市瑞浩芯科技有限公司

    10年

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  • 深圳市維基鴻電子有限公司

    7年

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  • 萬三科技（深圳）有限公司

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

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  • 深圳市百潤電子有限公司

    13年

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  • 深圳市新啟創(chuàng)電子科技有限公司

    7年

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  • 深圳市威雅利發(fā)展有限公司

    8年

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  • NEXPERIA/安世　
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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強電子世界1號樓10A8240主營品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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  • Infineon Technologies　
  • 原廠原包　
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  • 只做原裝　

IPI70N10S3-12 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
  • PDF文件大小：192.39 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共9頁
  • 描述：OptiMOS-T Power-Transistor
IPI70N10S3-12技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-262-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:70 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:11.3 mOhms
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:125 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 資格:AEC-Q101
  • 商標(biāo)名:OptiMOS
  • 封裝:Tube
  • 高度:9.45 mm
  • 長度:10.2 mm
  • 系列:OptiMOS-T
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:4.5 mm
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • 下降時間:8 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:8 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:500
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:25 ns
  • 典型接通延遲時間:17 ns
  • 零件號別名:IPI70N10S312AKSA1 IPI7N1S312XK SP000407124
  • 單位重量:2.084 g
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價型號*數(shù)量*批號封裝品牌其它要求
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