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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IPI80N06S3-07 PDF資料
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- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大?。?62.92 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共8頁
- 描述:OptiMOS-T Power-Transistor
IPI80N06S3-07技術規(guī)格
- 標準包裝:500
- 類別:分立半導體產品
- 家庭:FET - 單
- 系列:OptiMOS??
- 包裝:管件
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標準
- 漏源極電壓(Vdss):55V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.8 毫歐 @ 51A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 80µA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):170nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7768pF @ 25V
- 功率 - 最大值:135W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商器件封裝:PG-TO262-3
- 其它名稱:IPI80N06S3-07-NDIPI80N06S3-07INIPI80N06S307XIPI80N06S307XKSP000088064
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