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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IPI80N06S405AKSA2 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?.67 Mbytes
- PDF文件頁數(shù):共16頁
- 描述:MOSFET MOSFET
IPI80N06S405AKSA2技術(shù)規(guī)格
- 通道類型:N
- 最大連續(xù)漏極電流:80 A
- 最大漏源電壓:60 V
- 最大漏源電阻值:5.7 m0hms
- 最大柵閾值電壓:4V
- 最小柵閾值電壓:2V
- 最大柵源電壓:-20 V、+20 V
- 封裝類型:I2PAK (TO-262)
- 安裝類型:通孔
- 晶體管配置:單
- 引腳數(shù)目:3
- 通道模式:增強
- 類別:功率 MOSFET
- 最大功率耗散:107 W
- 長度:10mm
- 每片芯片元件數(shù)目:1
- 尺寸:10 x 4.4 x 9.25mm
- 寬度:4.4mm
- 系列:OptiMOS T2
- 晶體管材料:Si
- 典型柵極電荷@Vgs:62 nC @ 10 V
- 典型輸入電容值@Vds:5000 pF @ 25 V
- 典型關(guān)斷延遲時間:35 ns
- 典型接通延遲時間:20 ns
- 最低工作溫度:-55 °C
- 最高工作溫度:+175 °C
- 高度:9.25mm
- 封裝/外殼:PG-TO262-3
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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IPI80N06S405AKSA2相關(guān)型號