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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IPP04N03LB PDF資料
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- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大?。?38.93 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共9頁(yè)
- 描述:OptiMOS??2 Power-Transistor
IPP04N03LB G技術(shù)規(guī)格
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500
- 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭:FET - 單
- 系列:OptiMOS??
- 包裝:管件
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門(mén)
- 漏源極電壓(Vdss):30V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.8 毫歐 @ 55A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 70µA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):40nC @ 5V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5203pF @ 15V
- 功率 - 最大值:107W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3
- 其它名稱:IPP04N03LBGXSP000064223SP000680800
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