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IPP06CN10LG PDF資料
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  • 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
  • PDF文件大?。?25.45 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共9頁
  • 描述:OptiMOS2 Power-Transistor
IPP06CN10L G技術規(guī)格
  • 標準包裝:500
  • 類別:分立半導體產(chǎn)品
  • 家庭:FET - 單
  • 系列:OptiMOS??
  • 包裝:管件
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓(Vdss):100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.2 毫歐 @ 100A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 180µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):124nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):11900pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:214W
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝/外殼:TO-220-3
  • 供應商器件封裝:TO-220-3
  • 其它名稱:IPP06CN10LGXKSA1SP000308789SP000680820
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