篩選結(jié)果：供應(yīng)商共有家隨時為您服務(wù)
- 供應(yīng)商
- 型號
- 品牌
- 封裝
- 批號
- 庫存數(shù)量
- 備注
- 詢價
-
柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
-
-
-
-
更多收回
IPP080N03L PDF資料
- 資料下載
- 制造商：ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]
- PDF文件大小：338.22 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共2頁
- 描述：isc N-Channel MOSFET Transistor
IPP080N03L G技術(shù)規(guī)格
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：50A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：18nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1900pF @ 15V
- 功率耗散（最大值）：47W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：8 毫歐 @ 30A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3-1
- 封裝/外殼：PG-TO220-3
- 安裝風(fēng)格：ThroughHole
- 通道數(shù)量：1Channel
- 晶體管極性：N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓：30V
- Id-連續(xù)漏極電流：50A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：8mOhms
- Vgs - 柵極-源極電壓：20V
- 最小工作溫度：-55C
- 最大工作溫度：+175C
- 配置：Single
- Pd-功率耗散：47W
- 通道模式：Enhancement
- 高度：15.65mm
- 長度：10mm
- 晶體管類型：1N-Channel
- 寬度：4.4mm
- 下降時間：2.8ns
- 上升時間：3.6ns
- 典型關(guān)閉延遲時間：18ns
- 典型接通延遲時間：4.6ns
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
