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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IPP082N10NF2SAKMA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?.74 Mbytes
- PDF文件頁數(shù):共11頁
- 描述:TRENCH >=100V
IPP082N10NF2SAKMA1技術(shù)規(guī)格
- SeriesStrongIRFET? 2
- Package-
- FET TypeN-Channel
- TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta), 77A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs8.2mOhm @ 50A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 46μA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
- Vgs (Max)±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2000 pF @ 50 V
- FET Feature-
- Power Dissipation (Max)3.8W (Ta), 100W (Tc)
- Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
- Mounting TypeThrough Hole
- Supplier Device PackagePG-TO220-3
- Package / CaseTO-220-3
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