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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IPP111N15N3 PDF資料
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- 制造商:ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]
- PDF文件大?。?38.64 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共2頁(yè)
- 描述:N-Channel MOSFET Transistor
IPP111N15N3 G技術(shù)規(guī)格
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3230pF @ 75V
- Vgs(最大值):±20V
- 功率耗散(最大值):214W(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):11.1 毫歐 @ 83A,10V
- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:PG-TO220-3
- FET 類型:N 溝道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源極電壓(Vdss):150V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):83A(Tc)
- 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 160μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):55nC @ 10V
- 安裝風(fēng)格:ThroughHole
- 通道數(shù)量:1Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Id-連續(xù)漏極電流:83A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:9.4mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:2V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20V
- Qg-柵極電荷:55nC
- 最小工作溫度:-55C
- 最大工作溫度:+175C
- 配置:Single
- Pd-功率耗散:214W
- 通道模式:Enhancement
- 商標(biāo)名:OptiMOS
- 封裝:Tube
- 高度:15.65mm
- 長(zhǎng)度:10mm
- 系列:OptiMOS3
- 晶體管類型:1N-Channel
- 寬度:4.4mm
- 正向跨導(dǎo) - 最小值:47S
- 下降時(shí)間:9ns
- 上升時(shí)間:35ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:32ns
- 典型接通延遲時(shí)間:17ns
- 無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs
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