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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IPP114N12N3 G PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大小:303.39 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共9頁(yè)
- 描述:MOSFET N-Ch 120V 75A TO220-3 OptiMOS 3
IPP114N12N3 G技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:Through Hole
- 封裝 / 箱體:TO-220-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:120 V
- Id-連續(xù)漏極電流:75 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:11.4 mOhms
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:49 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 175 C
- Pd-功率耗散:136 W
- 配置:Single
- 商標(biāo)名:OptiMOS
- 封裝:Tube
- 高度:15.65 mm
- 長(zhǎng)度:10 mm
- 系列:OptiMOS 3
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 寬度:4.4 mm
- 商標(biāo):Infineon Technologies
- 下降時(shí)間:7 nS
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:36 nS
- 工廠包裝數(shù)量:500
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 nS
- 零件號(hào)別名:IPP114N12N3GXK IPP114N12N3GXKSA1 SP000652740
- 單位重量:6 g
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