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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IPP147N12N3GXKSA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
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- PDF文件頁數(shù)：共11頁
- 描述：MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
IPP147N12N3GXKSA1技術(shù)規(guī)格
- 系列：OptiMOS??
- FET類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：56A（Ta）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：4V @ 61μA
- 不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：49nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：3220pF @ 60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 功率耗散（最大值）：107W（Tc）
- 不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：14.7 毫歐 @ 56A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：PG-TO220-3
- 封裝形式Package：TO-220
- 極性Polarity：N-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS：120V
- 連續(xù)漏極電流ID：56A
- 漏源電壓（Vdss）：120V
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：49nC
- 電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：3220pF
- 電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：60V
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO-220-3
- 無鉛情況/RoHs：否
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IPP147N12N3GXKSA1相關(guān)型號(hào)
