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  • 制造商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
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  • PDF文件頁數(shù)：共12頁
  • 描述：OptiMOS??2 Power-Transistor Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
IPP16CN10NG技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • Id-連續(xù)漏極電流:53 A
  • Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:16.5 mOhms
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:100 W
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-220-3
  • 封裝:Tube
  • 通道模式:Enhancement
  • 配置:Single
  • 下降時間:7 ns
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 上升時間:14 ns
  • 系列:OptiMOS 2
  • 工廠包裝數(shù)量:500
  • 商標(biāo)名:OptiMOS
  • 典型關(guān)閉延遲時間:27 ns
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  • 零件號別名:IPP16CN10NGHKSA1 IPP16CN10NGXK IPP16CN10NGXKSA1 SP000680880
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