�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
IPP60R199E6(6R199E6)
���
ֱͨ܇
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ)Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/�����֡�ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
IPP60R199P
- Ӣ�w�衡
- TO-220��
- 18+��
- 6520��
- ԭ�b��Ʒ��
-


IPP60R1K4C6 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF�������1141.33 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����15�
- ������Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPP60R1K4C6���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ���b/�⚤��PG-TO220-3
- RoHS��Y
- ���g(sh��)��Si
- ���b�L(f��ng)��ThroughHole
- ͨ����(sh��)����1Channel
- ���w�ܘO�ԣ�N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉���600V
- Id-�B�m(x��)©�O�����3.2A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ��裺1.26Ohms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉���2.5V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉���20V
- Qg-�ŘO늺ɣ�9.4nC
- ��С�����ضȣ�-55C
- ������ضȣ�+150C
- ���ã�Single
- Pd-���ʺ�ɢ��28.4W
- ͨ��ģʽ��Enhancement
- ���b��Tube
- �߶ȣ�15.65mm
- �L�ȣ�10mm
- ϵ�У�CoolMOSC6
- ���w����ͣ�1N-Channel
- ���ȣ�4.4mm
- �½��r�g��20ns
- MXHTS��85412999
- �����r�g��7ns
- �����P(gu��n)�]���t�r�g��40ns
- ���ͽ�ͨ���t�r�g��8ns
- �̘�(bi��o)����CoolMOS
- �o�U��r/RoHs���o�U/����RoHs
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IPP60R199E6(6R199E6)���P(gu��n)��̖