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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IPP60R1K4C6 PDF資料
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- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大?。?141.33 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共15頁(yè)
- 描述:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPP60R1K4C6技術(shù)規(guī)格
- 封裝/外殼:PG-TO220-3
- RoHS:Y
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:ThroughHole
- 通道數(shù)量:1Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:600V
- Id-連續(xù)漏極電流:3.2A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.26Ohms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20V
- Qg-柵極電荷:9.4nC
- 最小工作溫度:-55C
- 最大工作溫度:+150C
- 配置:Single
- Pd-功率耗散:28.4W
- 通道模式:Enhancement
- 封裝:Tube
- 高度:15.65mm
- 長(zhǎng)度:10mm
- 系列:CoolMOSC6
- 晶體管類(lèi)型:1N-Channel
- 寬度:4.4mm
- 下降時(shí)間:20ns
- MXHTS:85412999
- 上升時(shí)間:7ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:40ns
- 典型接通延遲時(shí)間:8ns
- 商標(biāo)名:CoolMOS
- 無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs
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