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  • 柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

    0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516

    IPP65R125C7XKSA1

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  • 深圳市芯福林電子科技有限公司

    8年

    1360254970913602549709李生深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號賽格廣場66樓6608B芯福林電子11015898

  • IPP65R125C7XKSA1
  • INFINEONTECHNOLOGIES　
  • PG-TO220-3　
  • 22+　
  • 68000　　
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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號樓10A8240主營品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

  • IPP65R125C7XKSA1
  • Infineon Technologies　
  • 原裝　
  • 2019+　
  • 11　
  • 原裝正品　

IPP65R125C7XKSA1 PDF資料
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  • 制造商：Infineon Technologies
  • PDF文件大?。?.57 Mbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共15頁
  • 描述：MOSFET HIGH POWER_NEW
IPP65R125C7XKSA1技術(shù)規(guī)格
  • FET 類型：N 溝道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：18A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 440μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：35nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1670pF @ 400V
  • 功率耗散（最大值）：101W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：125 毫歐 @ 8.9A，10V
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO-220-3
  • 封裝/外殼：PG-TO220-3
  • 通道類型：N
  • 最大連續(xù)漏極電流：18 A
  • 最大漏源電壓：700 V
  • 最大漏源電阻值：125 m0hms
  • 最大柵源電壓：-30 V、+30 V
  • 封裝類型：TO-220
  • 引腳數(shù)目：3
  • 晶體管配置：單
  • 通道模式：增強(qiáng)
  • 類別：功率 MOSFET
  • 最大功率耗散：101 W
  • 高度：4.57mm
  • 正向二極管電壓：0.9V
  • 尺寸：10.36 x 15.95 x 4.57mm
  • 寬度：15.95mm
  • 每片芯片元件數(shù)目：1
  • 系列：CoolMOS C7
  • 晶體管材料：Si
  • 典型柵極電荷@Vgs：35 nC @ 10 V
  • 典型輸入電容值@Vds：1670 pF @ 400 V
  • 典型關(guān)斷延遲時間：71 ns
  • 典型接通延遲時間：14 ns
  • 長度：10.36mm
  • 最高工作溫度：+150 °C
  • 最低工作溫度：-55 °C
  • 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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