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制造商:Infineon Technologies
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PDF文件頁數(shù):共22頁
描述:MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
IPP65R420CFDXKSA2技術(shù)規(guī)格
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 是
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 8.7 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 420 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 31.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83.3 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
封裝: Tube
系列: CFD2
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: Infineon Technologies
下降時間: 8 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 7 ns
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 38 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
零件號別名: IPP65R420CFD
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