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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IPP65R660CFDXKSA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大小：4.36 Mbytes
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- 描述：MOSFET N-CH 650V 6A TO220
IPP65R660CFDXKSA1技術規(guī)格
- FET 類型：N 溝道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：650V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：6A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 200μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：22nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：615pF @ 100V
- 功率耗散（最大值）：62.5W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：660 毫歐 @ 2.1A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 供應商器件封裝：PG-TO-220-3
- 封裝/外殼：PG-TO220-3
- 通道類型：N
- 最大連續(xù)漏極電流：6 A
- 最大漏源電壓：700 V
- 最大漏源電阻值：660 m0hms
- 最大柵閾值電壓：4.5V
- 最小柵閾值電壓：3.5V
- 最大柵源電壓：-30 V、+30 V
- 封裝類型：TO-220
- 引腳數(shù)目：3
- 晶體管配置：單
- 通道模式：增強
- 類別：功率 MOSFET
- 最大功率耗散：62.5 W
- 高度：15.95mm
- 每片芯片元件數(shù)目：1
- 尺寸：10.36 x 4.57 x 15.95mm
- 寬度：4.57mm
- 系列：CoolMOS CFD
- 晶體管材料：Si
- 典型柵極電荷@Vgs：22 nC @ 10 V
- 典型輸入電容值@Vds：615 pF @ 100 V
- 典型關斷延遲時間：40 ns
- 典型接通延遲時間：9 ns
- 最低工作溫度：-55 °C
- 最高工作溫度：+150 °C
- 長度：10.36mm
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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