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  • 深圳市驚羽科技有限公司

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  • 深圳市新啟創(chuàng)電子科技有限公司

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  • Infineon Technologies 
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IPP80N06S2-05 PDF資料
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  • 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
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  • PDF文件頁數(shù):共8頁
  • 描述:OptiMOS Power-Transistor
IPP80N06S2-05技術(shù)規(guī)格
  • 數(shù)據(jù)列表:IPB,IPP80N06S2-05
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500
  • 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭:FET - 單
  • 系列:OptiMOS??
  • 包裝:管件
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss):55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.1 毫歐 @ 80A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):170nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5110pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:300W
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝/外殼:TO-220-3
  • 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3
  • 其它名稱:IPP80N06S205AKSA1SP000218873
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