篩選結果：供應商共有家隨時為您服務
- 供應商
- 型號
- 品牌
- 封裝
- 批號
- 庫存數(shù)量
- 備注
- 詢價
-
柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
IPP80N06S2-07(2N0607)
配單
直通車-
-
-
-
更多收回
IPP80N06S207AKSA1 PDF資料
- 資料下載
- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大?。?58.54 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共8頁
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IPP80N06S207AKSA1技術規(guī)格
- FET 類型：N 溝道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：55V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：80A（Tc）
- 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 180μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：110nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：3400pF @ 25V
- 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：6.6 毫歐 @ 68A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 供應商器件封裝：PG-TO220-3-1
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 通道類型：N
- 最大連續(xù)漏極電流：80 A
- 最大漏源電壓：55 V
- 最大漏源電阻值：6.6 m0hms
- 最大柵閾值電壓：4V
- 最小柵閾值電壓：2.1V
- 最大柵源電壓：-20 V、+20 V
- 封裝類型：TO-220
- 引腳數(shù)目：3
- 晶體管配置：單
- 通道模式：增強
- 類別：功率 MOSFET
- 最大功率耗散：250 W
- 高度：15.65mm
- 每片芯片元件數(shù)目：1
- 尺寸：10 x 4.4 x 15.65mm
- 寬度：4.4mm
- 系列：OptiMOS
- 晶體管材料：Si
- 典型柵極電荷@Vgs：86 nC @ 10 V
- 典型輸入電容值@Vds：3400 pF @ 25 V
- 典型關斷延遲時間：61 ns
- 典型接通延遲時間：16 ns
- 最低工作溫度：-55 °C
- 最高工作溫度：+175 °C
- 長度：10mm
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復)
IPP80N06S2-07(2N0607)相關型號
