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IPUH6N03LA G PDF資料
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  • 制造商：Infineon Technologies
  • PDF文件大小：536.88 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共12頁
  • 描述：MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
IPUH6N03LA G技術(shù)規(guī)格
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,500
  • 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 單
  • 系列：OptiMOS??
  • 包裝：管件
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓（Vdss）：25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：50A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：6.2 毫歐 @ 50A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 30µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：19nC @ 5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：2390pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：71W
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB
  • 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO251-3
  • 其它名稱：IPUH6N03LAGXSP000068594
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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