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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IPW60R070C6 PDF資料
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- 制造商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大小：1743.86 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共13頁
- 描述：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPW60R070C6技術(shù)規(guī)格
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：3800pF @ 100V
- Vgs（最大值）：±20V
- 功率耗散（最大值）：391W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：70 毫歐 @ 25.8A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：PG-TO247-3
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源極電壓（Vdss）：600V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：53A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 1.72mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：170nC @ 10V
- 安裝風(fēng)格：ThroughHole
- 通道數(shù)量：1Channel
- 晶體管極性：N-Channel
- Id-連續(xù)漏極電流：53A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：63mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5V
- Vgs - 柵極-源極電壓：20V
- Qg-柵極電荷：170nC
- 最小工作溫度：-55C
- 最大工作溫度：+150C
- 配置：Single
- Pd-功率耗散：391W
- 通道模式：Enhancement
- 商標(biāo)名：CoolMOS
- 封裝：Tube
- 高度：21.1mm
- 長度：16.13mm
- 系列：CoolMOSC6
- 晶體管類型：1N-Channel
- 寬度：5.21mm
- 下降時(shí)間：5ns
- 上升時(shí)間：12ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：83ns
- 典型接通延遲時(shí)間：16ns
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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IPW60R070C6相關(guān)型號(hào)
