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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IPW60R125P6XKSA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大?。?.94 Mbytes
- PDF文件頁數：共19頁
- 描述：MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
IPW60R125P6XKSA1技術規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術:Si
- 安裝風格:Through Hole
- 封裝 / 箱體:TO-247-3
- 通道數量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
- Id-連續(xù)漏極電流:30 A
- Rds On-漏源導通電阻:113 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:56 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:219 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標名:CoolMOS
- 封裝:Tube
- 高度:21.1 mm
- 長度:16.13 mm
- 系列:CoolMOS P6
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 寬度:5.21 mm
- 商標:Infineon Technologies
- 下降時間:5 ns
- 產品類型:MOSFET
- 上升時間:9 ns
- 工廠包裝數量:240
- 子類別:MOSFETs
- 典型關閉延遲時間:44 ns
- 典型接通延遲時間:14 ns
- 零件號別名:IPW60R125P6 SP001114656
- 單位重量:38 g
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