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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
IPW60R190C6(6R190C6)
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IPW60R190C6FKSA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
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- PDF文件頁(yè)數(shù)：共19頁(yè)
- 描述：MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
IPW60R190C6FKSA1技術(shù)規(guī)格
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：600V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：20.2A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 630μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：63nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1400pF @ 100V
- 功率耗散（最大值）：151W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：190 毫歐 @ 9.5A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3
- 封裝/外殼：PG-TO247-3
- 通道類型：N
- 最大連續(xù)漏極電流：20 A
- 最大漏源電壓：650 V
- 最大漏源電阻值：190 m0hms
- 最大柵閾值電壓：3.5V
- 最小柵閾值電壓：2.5V
- 最大柵源電壓：-20 V、+20 V
- 封裝類型：TO-247
- 引腳數(shù)目：3
- 晶體管配置：單
- 通道模式：增強(qiáng)
- 類別：功率 MOSFET
- 最大功率耗散：151 W
- 最低工作溫度：-55 °C
- 最高工作溫度：+150 °C
- 每片芯片元件數(shù)目：1
- 長(zhǎng)度：16.13mm
- 高度：21.1mm
- 系列：CoolMOS C6
- 寬度：5.21mm
- 晶體管材料：Si
- 典型柵極電荷@Vgs：63 nC @ 10 V
- 典型輸入電容值@Vds：1400 pF @ 100 V
- 典型關(guān)斷延遲時(shí)間：110 ns
- 典型接通延遲時(shí)間：15 ns
- 尺寸：16.13 x 5.21 x 21.1mm
- 無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs
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IPW60R190C6(6R190C6)相關(guān)型號(hào)
