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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IPW65R190C6 PDF資料
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- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
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- PDF文件頁(yè)數(shù):共19頁(yè)
- 描述:650V CoolMOS C6 Power Transistor
IPW65R190C6技術(shù)規(guī)格
- 封裝/外殼:PG-TO247-3
- RoHS:Y
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:ThroughHole
- 通道數(shù)量:1Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:650V
- Id-連續(xù)漏極電流:20.2A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:190mOhms
- Vgs - 柵極-源極電壓:20V
- Qg-柵極電荷:73nC
- 最小工作溫度:-55C
- 最大工作溫度:+150C
- 配置:Single
- Pd-功率耗散:151W
- 封裝:Tube
- 高度:21.1mm
- 長(zhǎng)度:16.13mm
- 系列:CoolMOSC6
- 晶體管類型:1N-Channel
- 寬度:5.21mm
- 下降時(shí)間:10ns
- MXHTS:85412999
- 上升時(shí)間:12ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:133nS
- 商標(biāo)名:CoolMOS
- 無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs
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