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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
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IPW90R1K0C3FKSA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?48.55 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共11頁
- 描述:MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
IPW90R1K0C3FKSA1技術(shù)規(guī)格
- 系列:CoolMOS??
- FET類型:N 溝道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):5.7A(Tc)
- 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):3.5V @ 370μA
- 不同Vgs時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):34nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):850pF @ 100V
- Vgs(最大值):±20V
- 功率耗散(最大值):89W(Tc)
- 不同?Id,Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):1 歐姆 @ 3.3A,10V
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:PG-TO247-3
- 封裝形式Package:TO-247
- 極性Polarity:N-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS:900V
- 連續(xù)漏極電流ID:5.7A
- 漏源電壓(Vdss):900V
- 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3
- 無鉛情況/RoHs:否
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