�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A����·1019̖�A���V��D��23��11016516
IPZ65R095C7(65C7095)
���
ֱͨ܇-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ)Sam�����и���^(q��)�A���������1̖��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
IPZ65R095C7(65C7095)
- INFINEON��
- TO3P-4��
- 18+��
- 6520��
- ԭ�b��Ʒ��
-
IPZ65R095C7XKSA1 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Infineon Technologies
- PDF�ļ�������1.44 Mbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����15�
- ������MOSFET HIGH POWER_NEW
IPZ65R095C7XKSA1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Infineon
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:Through Hole
- ���b / ���w:TO-247-4
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:650 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:24 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:84 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:3 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
- Qg-�ŘO늺�:45 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:128 W
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- �̘�(bi��o)��:CoolMOS
- ���b:Tube
- �߶�:21.1 mm
- �L��:16.13 mm
- ϵ��:CoolMOS C7
- ���w�����:1 N-Channel
- ����:5.21 mm
- �̘�(bi��o):Infineon Technologies
- �½��r�g:7 ns
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- �����r�g:8 ns
- ���S���b��(sh��)��:240
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r�g:60 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r�g:12 ns
- ���̖�e��:IPZ65R095C7 SP001080130
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IPZ65R095C7(65C7095)���P(gu��n)��̖
![P(gun)]](/imgs/dlgclose.gif "P(gun)]")
