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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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IRF3205LPBF PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大小：279.41 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共11頁
- 描述：MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
IRF3205LPBF技術(shù)規(guī)格
- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
- 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭：FET - 單
- 系列：HEXFET®
- 包裝：管件
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓（Vdss）：55V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：110A（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：8 毫歐 @ 62A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：146nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：3247pF @ 25V
- 功率 - 最大值：200W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-262
- 其它名稱：*IRF3205LPBF
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