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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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更多收回
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深圳市裕順宏電子有限公司
13年
陳R華強北01010814
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IRF5803D2TRPBF
- IR
- SOP8
- 14+
- 9000
- 原裝現(xiàn)貨,樣品可售,量大價優(yōu)
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IRF5803D2TRPBF PDF資料
- 資料下載
- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?73.22 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共11頁
- 描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
IRF5803D2TRPBF技術(shù)規(guī)格
- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below
- 設(shè)計資源:IRF5803D2 Saber Model IRF5803D2 Spice Model
- 標準包裝:4,000
- 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭:FET - 單
- 系列:FETKY??
- 包裝:帶卷(TR)
- FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET 功能:二極管(隔離式)
- 漏源極電壓(Vdss):40V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.4A(Ta)
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):112 毫歐 @ 3.4A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):37nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1110pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:8-SO
- 其它名稱:IRF5803D2TRPBF-NDIRF5803D2TRPBFTR
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