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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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IRF640NSTRRPBF PDF資料
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- 制造商:Infineon / IR
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- PDF文件頁數(shù):共11頁
- 描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC
IRF640NSTRR技術(shù)規(guī)格
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝800
- 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭FET - 單路
- 系列HEXFET®
- FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
- 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫歐 @ 11A, 10V
- 漏極至源極電壓(Vdss)200V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
- Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
- 閘電荷(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
- 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)1160pF @ 25V
- 功率 - 最大150W
- 安裝類型表面貼裝
- 封裝/外殼TO-263-3, D²Pak (2 引線+接片), TO-263AB
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝D2PAK
- 包裝帶卷 (TR)
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