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  • 制造商:VISHAY[Vishay Siliconix]
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  • 描述:Power MOSFET
IRF644NSPBF技術(shù)規(guī)格
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):250V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):54nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1060pF @ 25V
  • 功率耗散(最大值):150W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):240 毫歐 @ 8.4A,10V
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK
  • 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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